成果 | 厦大物理团队突破SiC雪崩探测器技术瓶颈,新型结构实现低电压高增益探测
在光电融合的今天, SiC作为宽禁带半导体的代表,不仅可作为高压大电流MOSFET和IGBT功率器件的核心材料,同时在光电探测领域发挥重要应用。SiC雪崩探测器(APD),由于能够吸收微弱光子信号而产生光生载流子,在高电场中对晶格的碰撞电离产生高增益光电流而引起国际的高度关注,在激光雷达、化学传感、火焰探测、天气监测及光通信等领域具有重要应用。通常,传统雪崩光电探测器需在95%临界电场下以盖革模式工作以获得高增益,但此工作模式存在以下挑战:...



