本学科方向致力于半导体光电材料及其器件研究，建设了厦门大学国家集成电路产教融合创新平台、教育部微纳光电子材料与器件工程研究中心等多个国家级与省部级科研平台，拥有先进的半导体材料生长和器件加工与表征设备，如MOVPE、8英寸SiC外延系统、UHV-CVD、MBE、电子束蒸发仪、光刻机等，在III族氮化物、Ge、Si、SiC等材料、器件以及研发设备方面已形成较强的国内优势，为我校物理学、材料科学进入全球ESI世界前1%作出了重大贡献。同时，致力于产学研相结合，引领福建省光电产业的发展，为厦门成为全球半导体重镇提供技术支持。

宽带隙半导体研究组

主要成员：康俊勇、李书平、蔡端俊、吴志明、黄凯、李金钗

简介：我们感兴趣的有：1、半导体材料与器件；深紫外发光二极管；太阳盲探测器；2、表面与界面物理、量子结构材料；3、低维材料、表面等离子体光子学、新型钙钛矿太阳电池；4、磁性材料与器件。自旋电子学，谷电子，自旋电子学设备。

硅基光电子材料与器件研究组

主要成员：李成、陈松岩、黄巍、李俊

简介：“硅基光电子材料与器件研究小组由五名研究人员和两名技术工程师组成。该集团拥有超高真空化学气相沉积（UHV-CVD）、原子层沉积（ALD）、磁控溅射和光电表征系统等有价值的半导体设备。研究范围如下：

1、硅基光电集成电路在下一代微电子技术中具有高速、低成本信息通信的前景。Ge、GeSn 等 iv 族材料是天然的硅基材料，但仍存在发光效率低的问题。通过引入带隙和应变工程技术，在电信波段制备了发射效率高、波长适宜的 Ge 和 GeSn发光器件。此外，还制备了具有 pin 或 schottky 结构的硅基 Ge 光电探测器。他们执行低暗电流，高责任，宽带检测覆盖整个电信频段。

2、低温 Ge/Si 异质晶圆键合

低温 Ge/Si 异质晶圆键合是一种很有前途的方法，可以替代传统的外延生长技术，用于Si 基 Ge 薄膜和 Ge/Si 光电器件的制备。这种键合工艺有助于克服杂质间晶格失配大的阻碍，提高薄膜的结晶质量。利用非晶或多晶半导体中间层，结合智能切割技术，可制备出高质量的 Ge/Si 异质晶片和 Ge-on-insulator 晶片。

3、下一代锂离子电池阳极用硅基复合材料。

硅具有较高的理论容量和较低的放电电位，是一种很有前途的阳极材料。然而，在充电过程中，硅的体积膨胀会导致机械断裂、粒子间电接触的丧失以及与电解液的重复化学反应。通过对锂化/脱锂动力学和界面特性的研究，本课题组致力于低成本、高电化学性能和长周期的硅基阳极的制备。

4、二维材料的合成及其光电性能

随着摩尔定律接近其物理极限，研究了二维过渡金属二硫化物（TMD）半导体等新材料与传统硅的结合。我们正在研究利用 ALD 合成 TMD 和制备 TMD 晶体管以研究其电子特性。

5、电阻随机存取存储器（RRAM）具有写入/读取速度快、功耗低、可扩展性好等优点，是下一代高密度信息存储技术的理想选择。我们研究了用于rram集成的Pt/HfO2/Ti/n-Si 结构的 1D1R 单元电池和基于固体电解质的新型 RRAM 器件。