| 教育和工作经历 |
教育背景
牛津大学, 无机化学, 博士, 2008年 至 2012 年
新加坡国立大学, 物理, 硕士，2005 年 至 2008 年
山东大学, 光信息科学与工程, 学士，1999 年 至 2003 年
工作经历
2017-03 至今, 厦门大学, 教授
2015-01 至 2017-02, 英国剑桥大学材料系Herchel Smith Research Fellow
2012-01 至 2014-12, 美国西北太平洋国家实验室博士后
2003-06 至 2005-01, 上海蓝宝光电有限公司, MOCVD外延制备GaN半导体晶片, 工程师 |
代表性文章或专著 |
1.Electronic structure and surface band bending of Sn-doped Ga2O3 thin films studied by x-ray photoemission spectroscopy and ab initio calculations.
Siliang Kuang, Zhenni Yang, Ziqi Zhang, Ziqian Sheng, Shenglong Wei, Yihong Chen, Wenjing Xu, Ye Yang, Duanyang Chen, Hongji Qi, Kelvin HL Zhang
Physical Review B, 110, 115120 (2024)
2.Transport and electronic structure properties of MBE grown Sn doped Ga2O3 homo-epitaxial films.
Siliang Kuang, Zhenni Yang, Ziqi Zhang, Ziqian Sheng, Shenglong Wei, Yihong Chen, Wenjing Xu, Ye Yang, Duanyang Chen, Hongji Qi, Kelvin HL Zhang，
Materials Today Physics, 48.000 (2024)
3.Dynamic restructuring of nickel sulfides for electrocatalytic hydrogen evolution reaction.
Xingyu Ding, Da Liu, Pengju Zhao, Xing Chen, Hongxia Wang, Freddy E Oropeza, Giulio Gorni, Mariam Barawi, Miguel García-Tecedor, Víctor A de la Peña O’Shea, Jan P Hofmann, Jianfeng Li, Jongkyoung Kim, Seungho Cho, Renbing Wu, Kelvin HL Zhang,
Nature Communications 15(1), 5336 (2024)
4.Tuning the Bandgaps of (AlxGa1−x)2O3 Alloyed Thin Films for High‐Performance Solar‐Blind Ultraviolet Fully Covered Photodetectors.
X Xu, Z Sheng, J Shi, X Chen, Y He, W Xu, X Zhang, D Chen, H Qi, ...
Advanced Optical Materials 11 (13), 2300042 (2023)
5.Emergent and robust ferromagnetic-insulating state in highly strained ferroelastic LaCoO3 thin films.
D. Li, H. Wang, K. Li, B. Zhu, K. Jiang, D. Backes, L.S. I. Veiga, J. Shi, P. Roy, M. Xiao, A. Chen, Q. Jia, T.-L. Lee, S. S. Dhesi, D.O. Scanlon, J. L. MacManus-Driscoll, P. A. van Aken, K. H. L. Zhang, W. W. Li,
Nat. Commun., 14, 3638 (2023).
6.Direct determination of band-gap renormalization in degenerately doped ultrawide band gap β- semiconductor.
J.Y. Zhang, J. Willis, Z. Yang, Z. Sheng, L.-S. Wang, T.-L. Lee, L. Chen, D. O. Scanlon, Kelvin H. L. Zhang.,
Physical Review B 106 (20), 205305, 106, 20, 205305 (2022).
7.Modulation of the Bi3+ 6s2 Lone Pair State in Perovskites for High‐Mobility p‐Type Oxide Semiconductors.
J Shi, EA Rubinstein, W Li, J Zhang, Y Yang, TL Lee, C Qin, P Yan, ...
Advanced Science 9 (6), 2104141 (2022)
8.Wide bandgap oxide semiconductors: from materials physics to optoelectronic devices.
J. Shi, J. Zhang, L. Yang, M. Qu, D.-C. Qi, K. H. L. Zhang,
Adv. Mater., 33, 2006230 (2021).
9.Reversible nano-structuring of SrCrO3-δ through oxidation and reduction at low temperature.
KHL Zhang, PV Sushko, R Colby, Y Du, ME Bowden, SA Chambers
Nature communications 5, 4669 (2014)
10.Microscopic origin of electron accumulation in In2O3.
KHL Zhang, RG Egdell, F Offi, S Iacobucci, L Petaccia, S Gorovikov, ...
Physical review letters 110 (5), 056803 (2013)
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| 科研基金及项目 |
1、科技部, 国家重点研发计划课题, 2022YFB3605500, 大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究, 2022-11 至 2025-11, 150万元, 在研, 主持
2、国家自然科学基金委员会, 面上项目, 52472171, 调制掺杂(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3异质结界面二维电子气研究, 2025-01-01 至 2028-12-31, 48万元, 在研, 主持
3、国家自然科学基金委员会中德科学中心, 中德合作交流项目, 过渡金属氧化物(光)电催化水分解电化学界面和载流子动力学研究, 150 万, 起止时间：2021-01 至 2023-12, 主持
4、国家自然科学基金委员会, 面上项目, 22275154, 超宽禁带氧化镓半导体薄膜外延、能带调控及新型紫外光电探测器研究, 2023-01-01 至 2026-12-31, 54万元, 在研, 主持
5、国家自然科学基金委员会, 面上项目, 22075232, 基于Sn、Bi s2电子态的新型P-型氧化物半导体材料与器件开发, 2021-01-01 至 2024-12-31, 63万元, 资助期满, 主持
6、国家自然科学基金面上项目, 项目名称: 基于过渡金属氧化物单晶薄膜的电子结构与析氧电催化活性构效关系的研究, 65万, 起止时间：2019-01 至 2022-12, 主持 |
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