吴雅苹，厦门大学物理学系教授、博士生导师。厦门大学物理系与美国UT-Austin联合培养博士，获微电子学与固体电子学博士学位。国家优青，中国真空学会会员，福建省中学生“英才计划”导师、厦门市物理学会监士，厦门大学“南强青年拔尖人才计划A类人才”。

长期致力于半导体新结构材料与新功能器件研究工作。主持及承担“国家优秀青年科学基金”、“国家自然科学基金重大研究计划”项目、“科技部国家重点研发计划”项目、“国家自然科学基金”面上项目、青年项目、“福建省科技厅对外合作项目”等科技项目二十余项，以第一或通讯作者身份在《Nature Electronics》、《Advanced Materials》、《ACS nano》等期刊发表SCI论文百余篇，并被多部专业学术论著与多篇综述性论文收录为领域代表性研究成果，多次受邀国际及国内学术会议邀请报告，授权专利二十余件；指导硕士、博士研究生多人获国家奖学金与校奖学金。

1、Topology-induced chiral photon emission from a large-scale meron lattice, Nature Electronics, 2023, 6 (7): 516.
2、Phase-Dependent Magnetic Proximity Modulations on Valley Polarization and Splitting, ACS Nano, 2024, 18 (16): 10921-10929.
3、Manipulations of Electronic and Spin States in Co-Quantum Dot/WS2 Heterostructure on a Metal-Dielectric Composite Substrate by Controlling Interfacial Carriers, Nano Letters, 2024, 24 (4): 1415.
4、Simultaneously Regulated Highly Polarized and Long-Lived Valley Excitons in WSe2/GaN Heterostructures, Nano Letters, 2024, 24 (6): 1851-1858.
5、Chirality-Dependent Valley Polarization in Magnetic van der Waals Heterostructures via Spin-Selective Charge Transfer, Nano Letters, 2024, 24 (4): 6225.
6、A Bifunctional Optoelectronic Device for Photodetection and Photoluminescence Switching Based on Graphene/ZnTe/Graphene van der Waals Heterostructures, ACS Nano, 2023, 17 (21): 21829-21837.
7、Nonvolatile Electrical Valley Manipulation in WS2 by Ferroelectric Gating, ACS Nano, 2022, 16 (12): 20598-20206.
8、Enhanced Valley Splitting in Monolayer WSe2 by Phase Engineering, ACS Nano, 2021, 15(5): 8244-8251.
9、Controllable Resistive Switching in ReS2/WS2 Heterostructure for Nonvolatile Memory and Synaptic Simulation, Advanced Science, 2023, 10 (28): 2302813.
10、Removal of Hydrogen by Electric and Polarized Fields for High-Performance AlGaN Deep-Ultraviolet-C Light Emitting Diodes, Applied Physics Letters, 2024, 125 (22): 22210
11、Topological Spin Structures: Growth and Interaction with Electrons and Photons, Applied Physics Letters, 2024, 125(16): 160501.
12、High-efficient and gate-tunable spin transport in GaN thin film at room temperature, Applied Physics Letters, 2023, 122 (18): 182404.
13、High-efficient spin injection in GaN through a lattice-matched tunnel layer, Applied Physics Letters, 2024, 124(24): 242401.
14、Layer-dependent dielectric modulation in WS2/GaN heterostructures, Physical Review B, 2023, 107 (8): 085304.
15、Modulation of Valley Dynamics in Hybrid H/T Phase Monolayer WSe2, Laser & Photonics Reviews, 2022, 17 (1): 2200416.
16、Direct Synthesis of Moiré Superlattice through Chemical Vapor Deposition Growth of Monolayer WS2 on Plasma-Treated HOPG, Nano Research, 2022, 15(9): 8587-8594.
17、Review of Anisotropic 2D Materials: Controlled Growth, Optical Anisotropy Modulation, and Photonic Applications, Laser & Photonics Reviews, 2021, 15 (12): 2100322.

代表性专利
1、一种全电学调控的自旋发光探测一体器件及其制备方法, 专利号201810540087.X.
2、一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法, 专利号201810559006.0.
3、一种管式CVD炉用接头、二维材料及其生长装置和方法, 专利号 201810541023.1.
4、一种具有电场可调极化率的二维旋光器件, 专利号 201820922881.6.
5、一种具有可控极化率的二维自旋电子器件, 专利号 201820923579. 2.
6、矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置，专利号201611236161.6
7、一种产生可控极化率的自旋电流的结构与方法, 专利号201810540985.5
8、一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构与方法, 专利号201810541755.0
9、一种极化率可控的可变波长二维旋光器件及其制备方法，专利号201810558544.8
10、一种电可调的各向异性隧穿磁阻结构, 专利号201921002454.7
11、一种电可控的二维自旋电子器件阵列，专利号201920997049.7
12、一种电控二维自旋过滤器件，专利号201920995707.9
13、一种基于自旋注入的电控自旋发光二极管器件，专利号201920995759.6
14、一种具有电场可控极化率的旋光发光二极管器件，专利号201920997067.5
15、一种具有电控极化率的可变波长二维旋光器件，专利号201920995783.X
16、一种柔性二维磁存储阵列，专利号201920997044.4

1、国家优秀青年科学基金项目：量子结构生长及其半导体特性研发
2、国家自然科学基金重大研究计划：全同量子点晶格构筑及其量子态间耦合表征
3、科技部国家重点研发计划：氮化物宽禁带半导体强耦合量子结构材料和器件
4、科技部国家重点研发计划：半导体新结构材料和新功能器件研究
5、国家自然科学基金面上项目：氮化物/磁性二维材料异质外延及自旋-谷耦合调控应用
6、国家自然科学基金面上项目：III-VI族硫属化物二维材料及其异质结构的可控制备与自旋特性研究
7、国家自然科学基金面上项目，III族氮化物极化调控二维结构材料光电特性及偏振探测应用
8、国家自然科学基金青年项目：不同维度铁磁材料自旋电子结构模拟、表征与调控