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萨本栋讲坛之198
报告题目:
薄膜铌酸锂光子芯片及其激光频率变换应用
报告人:
陈险峰 教授
专家单位:
上海交通大学
报告地点:
海韵园物理楼552
报告时间:
2025年5月9日 14:30
学术系列:
萨本栋讲坛

摘要现代光子学基础研究和技术应用的进步离不开优异的功能材料和集成平台的发展。铌酸锂晶体是目前综合性能最好的光子学材料之一,它具有非常丰富的光学效应和光物理过程。近年来发展起来的薄膜铌酸锂技术对集成光子学更是具有变革性意义,它为研究微纳尺度下光与物质相互作用提供了新的平台,也使薄膜铌酸锂成为极有竞争力的新一代光子集成平台。本报告将介绍近期在微米和纳米薄膜铌酸锂平台上集成光子芯片方面的研究进展,重点报告课题组在基于微米薄膜铌酸锂集成平台的高效率非线性激光频率变换


报告人简介

陈险峰,上海交通大学特聘教授,国家杰出青年基金获得者,其他国家级高层次人才,科技部中青年KJCXLJ人才,上海市优秀学术带头人。从事光学前沿及其应用研究,在非线性光学、集成光电子学、光场调控、光量子信息和生物光子学等领域做出了系列研究成果。曾获得亚太物理协会联合会杨振宁奖。现担任Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials主编等。研究成果在在NatureNature PhotonicsScience AdvancesPhysical Review LettersOpticaLaser & Photonics Reviews等物理和光学领域国际重要刊物上发表论文近500篇,引用近万次。


报告人 陈险峰 教授 专家单位 上海交通大学
报告地点 海韵园物理楼552 报告时间 2025年5月9日 14:30
学术系列 萨本栋讲坛