晶体管是现代信息技术中最重要的发明之一，是所有现代电路的关键主动元件。一直以来，晶体管沿着摩尔定律的方向不断发展，缩小器件特征尺寸，增快器件开关速度。但是随着晶体管的沟道长度缩短至10纳米，短沟道效应和量子限域效应带来的影响已经不能忽略，沟道长度缩短与器件性能提升不能完全对应。因此为了保持晶体管的继续发展和克服短沟道效应带来的影响，对半导体材料的质量要求越来越高，厚度要求越来越薄。二维半导体材料成为克服短沟道效应的潜在候选之一。
    报告将介绍二维半导体的异质集成与器件构筑；采用范德华异质集成和超薄缓冲层方法，抑制传统沉积技术产生的缺陷，降低栅介质/二维材料的界面缺陷密度，削弱金属/二维材料的钉扎效应，获得了高质量的器件界面。上述工作为二维半导体器件设计与构建提供了新的思路。