本次报告我将首先介绍激子绝缘体的概念和领域发展现状。继而介绍我们最近发现的在半导体性材料中发生激子失稳的条件以及相应提出的基于暗激子实现激子绝缘体的理论。利用该理论并结合第一性原理计算，我们预言二维GaAs、单层TiS3、过渡金属卤化物和半面氢化石墨烯等是本征激子绝缘体。特别是对自旋极化体系中的激子失稳研究预言了新的物态：自旋分辨的半激子绝缘体，即，体系呈现出一个自旋为自发的激子凝聚，而另一个自旋为普通的半导体。此外，磁性体系中的三重态激子失稳亦会导致自旋超流。