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康俊勇

康俊勇的头像

个人信息

职称
教授
Email
jykang@xmu.edu.cn
工作电话
0592-2185962
个人主页
http://210.34.16.47/kanggroup
研究领域

 

凝聚态物理
      半导体材料物理
      表面和界面物理
      量子结构材料物理
微电子学与固体电子学
      大功率LED
      深紫外LED
      日盲探测器

      新型太阳能电池

个人简历

博士、特聘教授(博士生指导教师),长期从事化合物半导体材料制备及其特性表征的教学和科研工作。熟练掌握晶体薄膜外延和体单晶生长,晶体结构、光学和电学表征等技术。培养研究生三十多名,其中第一位博士生蔡端俊的论文获2008年度全国优秀博士论文提名,2004年获得厦门市优秀教师称号。2000年兼任日本东北大学学际科学国际高等研究中心(Institute for Interdisciplinary Advanced Research)客座教授、2004年兼任日本东北大学材料科学国际前沿中心(International Frontier Center for Advanced Materials)客座教授。现为厦门大学物理学一级学科博士点、微电子学与固体电子学二级学科工科博士点学术带头人、“凝聚态物理”国家重点学科主要学术带头人

主持过国家“973”规划、“863”计划课题、国防基础、国家自然科学基金重点专项、省部级重点项目等研究20多项,主要开展宽禁带半导体薄膜和量子结构材料制备、测试、理论设计,及发光二极管和光电探测器制备等研究工作。首次研发出了强磁场垂直温度梯度凝固晶体生长设备、Laplace缺陷谱仪、纳米级空间分辨率应变和电荷测试方法、增强中紫外光的Zn-Zn2SiO4异质纳米同轴线制备方法、超薄InN/GaN应变量子阱结构紫外LEDMgSi共掺超晶格pAlGaN结构材料、稳定光发射波长的Mg掺杂的InGaN/GaN量子阱结构、树叶脉络形大功率氮化镓基LED电极、多结太阳能电池及各子电池交流电致发光测试方法和装置、Si1117X7表面二维晶格等。在国内外重要学术刊物上发表论文约200篇,申请发明专利9项,其中5项已被授权;先后应邀在国际和全国会议上作邀请报告。主持建设了厦门大学半导体光子学研究中心,参与主持建设了厦门大学纳米科技中心,主持过厦门大学微机电研究中心建设完善工作。参与并推动了国家半导体照明产业化基地(厦门)的建设工作。目前,任半导体微纳光电子材料与器件教育部工程研究中心负责人、福建省半导体材料及应用重点实验室主任。

兼任国家自然科学基金委员会专家评审组专家、中国物理学会半导体专业委员会委员、表面与界面物理专业委员会委员、发光分会委员、中国真空学会理事、表面与纳米专业委员会委员、中国电子显微镜学会扫描探针与微束分析专业委员会委员、中国光学光电子行业协会光电器件分会专家委员会成员、福建省光电行业协会第1副理事长、厦门市物理学会副理事长。先后担任E-MRS SYMPOSIUM (2012): Advanced Silicon Materials Research for Electronic and Photovoltaic Applications III共同主席、亚太宽带隙半导体国际研讨会(APWS2009)程序委员会委员、第18届国际真空大会应用表面科学分 会程序委员会委员、第6届ZnO及其相关材料国际研讨会组织委员会委员。

 

在研基金

1.主持国家自然科学基金重大研究计划培育项目:全同量子点晶格构筑及其量子态间耦合表征(2010.01-2012.12)
2.主持国家自然科学基金重点专项:原位半导体纳米结构综合测试系统研制(2009.01-2011.12)
3.主持国家自然科学基金面上项目:宽禁带半导体中光子与原子强耦合结构(2008.01-2010.12)
4.主持厦门市科技计划项目:稳定波长的高性能GaN基LED芯片(2006.1-2007.12)
5.主持国家“863”计划项目:GaN基半导体材料设计与关键外延技术开发(2006.10-2008.09)
6.主持国家自然科学基金重点项目子课题:氧化锌基单晶薄膜材料、物性及器件研究(2004.01-2007.12)
7.主持福建省科技计划重点项目:GaN基功率级LED芯片制备(2004.07-2007.06)
8.主持国家自然科学基金项目:III族氮化物异质界面的缺陷(2004.1-2006.12)
9.主持厦门市重大科技计划项目子课题: 半导体照明LED外延、芯片和封装关键技术攻关与产业化(2008.01-2010.12)
10.主持国家自然科学基金重点项目子课题: 表面原子过程和表面小系统量子效应问题—光谱实验(2002.01-2005.12)

发表文章
发表论文(07年以来)
1.       Nanotechnology 21 (2010) 015707.(JCR一区)
2.       Nanotechnology 20 (2009) 485204.(JCR一区)
3.       Nanotechnology 20 (2009) 325709.(JCR一区)
4.       Nanotechnology 20 (2009) 235401.(JCR一区)
5.       Nanotechnology 20 (2009) 045401.(JCR一区)
6.       Appl. Phys. Lett. 95(15) (2009), 151113.(JCR二区)
7.       Appl. Phys. Lett. 93(9) (2008) 091902.(JCR二区)
8.       Appl. Phys. Lett. 93(8) (2008) 081908.(JCR二区)
9.       Appl. Phys. Lett. 92(16) (2008) 161112.(JCR二区)
10.    Appl. Phys. Lett. 92 (10) (2008) 101929.(JCR二区)
11.    Appl. Phys. Lett. 91 (15) (2007) 152106.(JCR二区)
12.    Appl. Phys. Lett. 91 (3) (2007) 031103.(JCR二区)
13.    Appl. Phys. Lett. 90 (12) (2007) 121909.(JCR二区)
14.    Crystal Growth & Design 9(4) (2009) 1698.(JCR二区)
15.    Crystal Growth & Design 7(3) (2007) 564.(JCR二区)
16.    Phys. Rev. B 80 (1) (2009) 045311.(JCR二区)
17.    J. Chem .Phys. 130 (2009) 234705.(JCR二区)
18.    J. Chem. Phys. 130 (2009) 024701.(JCR二区)
19.    J. Phys. Chem. C 113 (2009) 10185.(JCR二区)
20.    J. Phys. Chem. C 112 (2008) 17652.(JCR二区)
21.    J. Phys. Chem. C 112 (2008) 4925.(JCR二区)
22.    J. Phys. Chem. C 111 (2007) 7889.(JCR二区)
23.    Semicond. Sci. Technol. 25 (2010) 045012.(JCR二区)
24.    Semicond. Sci. Technol. 23 (2008) 025008.(JCR二区)
25.    J. Nanosci. & Nanotech. 9(2 Sp) (2009) 1226.(JCR二区)
26.    J. Nanosci. & Nanotech. 8(6) (2008) 3030.(JCR二区)
27.    J. Nanopart. Res. 11(4) (2009) 895.(JCR二区)
28.    J. Mater. Res., 23 (2008) 3347.(JCR二区)
29.    J. Mater. Res. 23 (1) (2008) 83.(JCR二区)
30.    J. Appl. Phys. 107 (2) (2010) 023505.(JCR二区)
31.    J. Appl. Phys. 104 (2008) 093526.(JCR二区)
32.    Thin Solid Films 516 (2008) 6334.(JCR二区)

申请或授权专利:
1.       中国发明专利:纳米级高分辨应力测量方法(专利号:200510078721.5,2009.09.09授权)
2.       中国发明专利:树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极(专利号:200610092944.1,2008.11.26授权)
3.       中国发明专利:选择超晶格位置掺杂的p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法(专利号:200810071176.0,2010.04.15授权)
4.       中国发明专利:一种表面等离激元同轴光波导结构(申请号:200810071867.0,2008.09.26申请)
5.       中国发明专利:AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件(申请号:200910111002.7,2009.02.03申请)
6.       中国发明专利:基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法(申请号:200910112318.8,2009.07.30申请)
7.       中国发明专利:多结太阳能电池及各子电池交流电致发光测试方法和装置(申请号:200910112669.9,2009.10.16申请)

获奖:
1.       2009年厦门市科学技术进步三等奖(高性能高亮度InGaAlP四元系红黄光LED外延片、芯片研制与生长)

历史

注册了
6 年 2 周