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李书平

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职称
教授
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lsp@xmu.edu.cn
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0592-2181862
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物理机电航空大楼403室
研究领域

 半导体光电子材料与器件的理论与实验研究

个人简历

李书平,男,197311月出生,民族:汉,籍贯:福建 闽侯,党员。1996年毕业于厦门大学物理系,20017月于厦门大学获凝聚态物理专业理学博士学位。现为厦门大学物理系教授,并担任厦门大学物理系分管实验副主任。一直从事半导体光电子材料与器件的理论与实验研究,近年来主要开展GaN基外延技术研究,完成过GaN基大功率LED的外延,成功地完成了波长小于280nm的深紫外LED外延,并实现波长定制可调。主持过福建省自然科学基金,主持国家高技术研究发展计划(863计划)项目子课题等。已在国内外学术刊物上发表论文数十篇,申请多项国家发明专利,获得2009年厦门市科学技术进步三等奖。

 

在研基金

1.主持国家“863”计划项目子课题:深紫外LED外延生长及应用技术研究(2011.012013.12

2.参与厦门市科技计划项目:高效多结太阳能电池特性研究(2009.08-2011.08

3.参与国家自然科学基金重大研究计划培育项目:全同量子点晶格构筑及其量子态间耦合表征(2010.01-2012.12

4.参与国家自然科学基金重点专项:原位半导体纳米结构综合测试系统研制(2009.01-2011.12

5.主持福建省科技计划重点项目:GaN 基紫外LED 芯片制备(2007.05-2009.06

6.参与厦门市科技计划项目:稳定波长的高性能GaNLED芯片(2006.1-2007.12

7.参与国家“863”计划项目:GaN基半导体材料设计与关键外延技术开发(2006.10-2008.09

8.参与福建省科技计划重点项目:0.25瓦蓝光LED芯片标准单元及其混合集成瓦级白光LEDs2005.1-2006.12

9.参与福建省科技计划重点项目:GaN基功率级LED芯片制备(2004.07-2007.06

10.参与国家自然科学基金项目:III族氮化物异质界面的缺陷(2004.1-2006.12

11.主持福建省自然科学基金:Ⅲ族氮化物异质界面模拟及实验研究(2004.05-2007.05

 

 

发表文章

1.半导体光电结构材料及其应用,厦门大学学报,50(2),203-209(2011)

2.Structural properties of InN films grown in different conditions by metalorganic vapor phase epitaxy, J. Mat. Res. 26(6) 775-780 (2011)

3.An all-inorganic type-II heterojunction array with nearly full solar spectral response based on ZnO/ZnSe core/shell nanowires, J. Mat. Chem. 21(16) 6020-6026 (2011)

4.Si(001)衬底上闪锌矿ZnO的制备与分析,发光学报,31(2),209-213(2010)

5.Origins and suppressions of parasitic emissions in ultraviolet light-emitting diode structures, J. Mater. Res., 25(6) 1037-1040 (2010)

6.Growth Kinetic Processes of AlN Molecules on the Al-Polar Surface of AlN, J. Phys. Chem. A 114, 9028–9033(2010)

7.Sensitivity enhancement of longitudinally driven giant magnetoimpedance magnetic sensor using magnetoelastic resonance, Sensors and Actuators A 161 62-65(2010)

8.Optical anisotropy of AlN epilayer on sapphire substrate investigated by variable-angle spectroscopic ellipsometry, Optical Materials 32 891–895(2010)

9.Growth and characterization of type-II ZnO/ZnSe core/shell nanowire arrays, J. Mater. Res. 25(7) 1272-1277 (2010)

10.Density-controlled growth of well-aligned ZnO nanowires using chemical vapor deposition, Science China (Technological Sciences), 53(3), 766-768 (2010)

11.Magnetoelastic resonance enhancement of longitudinally driven giant magnetoimpedance effect in FeCuNbSiB ribbons, PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 405(1), 327-330 (2010)

12.Near-ultraviolet light emitting diodes using strained ultrathin InN/GaN quantum well grown by metal organic vapor phase epitaxy, APPLIED PHYSICS LETTERS 96, 101115 (2010)

13.AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light Emitting Diodes Fabricated on AlN/sapphire Template, CHIN. PHYS. LETT. 26( 11)  117801  (2009)

14.Polarization effects on quantum levels in InN/GaN quantum wells.  Nanotechnology 20  485204 (2009)

15.不同结构参数氮化镓基发光二极管芯片出光的蒙特卡罗方法模拟, 厦门大学学报(自然科学版)48(3),326-329(2009)

16.Enhancement of p-type conductivity by modifying the internal electric field in Mg- and Si-δ-codoped AlxGa1-xN/AlyGa1-yN superlattices, Appl. Phys. Lett. 93 151113 (2009)

17.Electronic Structures of InN/GaN Quantum Dots, J. Nanosci. & Nanotech. 9(2) 1226-1228 (2009)

18.Band engineering in strained GaN/ultrathin InN/GaN quantum wells, Crystal Growth & Design 9(4) 1698-1701 (2009)

19.Design and epitaxy of structural III-nitrides, J. Crystal Growth 311478–481 (2009)

20.Kinetic Monte Carlo simulations of Au clusters on Si(111)-7 X 7 surface, J. Nanopart. Res. 11(4) 895-901(2009)

21.Initial process effects on the surface morphology and structural property of the AlN epilayers, J Mater Sci: Mater Electron 19 S215–S218(2008)

22.GaN on Si-rich SiNx-coated sapphire at different growth stages:The surface morphologies and optical properties,Thin Solid Films, 516:6344–6352 (2008)

23.AlGaN-based solar-blind Schottky photodetectors fabricated on AlN/sapphire template, CHINESE PHYSICS LETTERS. 25(1): 258-261(2008)

24.Interaction between the intrinsic second- and third-order optical fields in an Al0.53Ga0.47N/GaN heterostructure, APPLIED PHYSICS LETTERS. 92(16): 161112 (2008)

25.Quantized level transitions and modification in InGaN/GaN multiple quantum wells, Appl. Phys. Lett. 92 (10) 101929 (2008)

26.The adsorption of Au on Si(111)-7x7 surface: A first-principles study, SURFACE REVIEW AND LETTERS, 14(4) 657-660 (2007)

27.GaN薄膜光学常数的椭圆偏振光谱研究, 福州大学学报(自然科学版) 35(S1) 15-18 (2007)

28.具有缺陷态的二维光子晶体通讯波长滤波器的结构优化设计, 福州大学学报(自然科学版) 35(S1) 19-23 (2007)

29.AlN薄膜的椭圆偏振光谱模型研究,福州大学学报(自然科学版) 35(S1) 11-14 (2007)

30.Enhanced Pockels effect in GaN/AlxGa1-xN superlattice measured by polarization-maintaining fiber Mach-Zehnder interferometer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 91(3): 031103 (2007)

31.InGaN量子阱的微观特性(英文). 发光学报, 28(01): 99-103 (2007)

32.GaN半导体中InN量子点的结构性质(英文). 发光学报. 28(01): 88-92 (2007)

33.金属-半导体超晶格中的金属费米能级和半导体平均键能,半导体学报,27(5),834-839(2006)

34.Defect influence on luminescence efficiency of GaN-based LEDs, Materials Science in Semiconductor Processing, 9,371-374(2006)

35.高性能计算集群系统的设计和实现,厦门大学学报(自然科学版),43(6),879-881(2004)

36.金属-半导体超晶格中界面电荷的生成机制, 物理学报,53(9),2925-2930(2004)

37.Si adsorption on Cu(110) surface from ab initio calculation, Surface Science 553, 126–132(2004)

38.金属-半导体接触势垒高度的理论计算,固体电子学研究与进展,23(4),412~415,453(2003)

39.Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级,厦门大学学报(自然科学版),42(5), 586-590(2003)

40.二维磁性纳米结构材料的Monte Carlo 模拟,厦门大学学报(自然科学版),42(2), 189-192(2003)

41.Schottky势垒高度理论计算中的平均键能方法,物理学报,52(3),542-546(2003)

42.TiNx系统的电子结构及所关联的光学性质, 量子电子学报,20(1),109-113(2003)

43.自由电子能带中的平均键能与费米能级,固体电子学研究与进展,22(1),1-4(2002)

44.Structural and Electroic Properties of RuSi,RuGe and OsSi, CHIN. PHYS. LETT., 18(10),1389-1391(2001)

45.平均键能方法在应变层异质结带阶计算中的简化模型,发光学报,22(2),182-186(2001)

46.一种由自由电子能带模型计算费米能级的方法,发光学报,22(2),172-174(2001)

47.Stability and electronic structures of the polar diamond/boron-nitride(001) interface,Solid State Communications,118,287-290(2001)

48.Optical gain of V-groove ZnCdSe/ZnSe quantum wires, Semiconductor Photonics and Technology, 7(1), 1-7(2001)

49.平均键能Em的物理内涵探讨,物理学报,50(2), 273-277(2001)

 

任教课程

 热力学统计物理A

半导体物理

半导体科学技术

非线性材料与设计(研究生课程)

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6 年 3 周