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陈航洋

陈航洋的头像

个人信息

职称
工程师
办公室
亦玄馆
研究领域

基于III族氮化物半导体材料的大功率LED、深紫外LED和日盲探测器。

个人简历

2003至今,厦门大学物理系,工程师;

2009-2012,厦门大学物理系,工程硕士;

1999-2003,厦门大学物理系,学士。

在研基金

1、深紫外LED外延生长及应用技术研究 (“十二五”863重大项目,2011-2013,参与)

2、铁磁岛纳米晶格中的人工几何磁阻挫( 国家自然科学基金面上项目,2010-2012,参与)

发表文章

[1] J. C. Li, W. H. Yang, S. P. Li, H. Y. Chen, D. Y. Liu, and J. Y. Kang, “Enhancement of p-type conductivity by modifying the internal electric field in Mg- and Si-d-codoped AlxGa1-xN/AlyGa1-yN superlattices”, Applied Physics Letters, 95, 151113-1-151113-3, October, 2009.

[2] P. Chen, X. G. Tu, S. P. Li, J. C. Li, W. Lin, H. Y. Chen, D. Y. Liu, J. Y. Kang, Y. H. Zuo, L. Zhao, S. W. Chen, Y. D. Yu, J. Z. Yu, and Q. M. Wang, “Enhanced Pockels effect in GaN/AlxGa1−xN superlattice measured by polarization-maintaining fiber Mach-Zehnder interferometer”, Applied Physics Letters, 91 (3), 031103-1-031103-3, July, 2007.

[3]D. J. Cai, F. C. Xu, J. C. Li, H. Y. Chen, and J. Y. Kang, “Non-contact electrical detection of intrinsic local charge and internal electric field at nanointerfaces”, Nanotechnology, 21, 015707-1-015707-6, January, 2010.

[4]J. C. Li, W. Lin, W. H. Yang, W. Z. Cai, Q. F. Pan, X. J. Lin, S. P. Li, H. Y. Chen, D. Y. Liu, J. F. Cai, X. Yu, and J. Y. Kang, “Design and epitaxy of structural III-nitrides”, Journal of Crystal Growth, 311(3), 478-481, January, 2009.

[5]S. P. Li, Z. L. Fang, H. Y. Chen, J. C. Li, X. H. Chen, X. L. Yuan, S. Takashi, Q. M. Wang, and J. Y. Kang, “Defect influence on luminescence efficiency of GaN-based LEDs”, Materials science in semiconductor processing, 9 (1-3), 371-374, March, 2006.

发明专利:选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法.
专利号:200810071176.0
发明人:康俊勇,李金钗,李书平,杨伟煌,陈航洋,刘达艺

任教课程

 主要负责金属有机物化学气相沉积系统(MOCVD)及其附属子设备的相关实验技术设计工作。

 

MOCVD 技术简介

   金属有机物化学气相沉积( Metal Organic Chemical Vapor Deposition ) ,简称MOCVD

是近三十年发展起来的一种新型气相外延生长技术,以金属有机物为源的化学气相沉积方法。它采用Ⅲ、Ⅱ族元素的金属有机化合物和Ⅴ、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长的源物质,生长Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多组元固溶体的薄层单晶。

MOCVD 方法制备薄膜,是将金属有机物气化后,利用携带气将其分别输运至反应室,在反应室内发生化学反应,反应的生产物沉积到衬底上从而形成薄膜。

    总的来讲,MOCVD系统包括:①气体输运系统;②反应室系统;③尾气处理系统;④控制系统;⑤安全保护系统。

    MOCVD技术的应用极大地促进了化合物半导体材料研究和器件制造的发展,目前各种主要类型的化合物半导体器件制作中都用到了MOCVD技术,系列高端器件如HEMTPHEMTHFETHBT、量子阱激光器,垂直腔面激光器、SEED、红外级联激光器、微腔、量子阱光折变器、异质结双极晶体管、高电子迁移率晶体管、太阳能电池、激光器、光探测器、场效应晶体管以及发光二极管(LED),极大地推动了微电子、光电子技术的发展,取得了巨大的成就。

 

 

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